IR 推出新型DirectFETplus功率MOSFET系列 可将DC-DC开关应用效率提升2%
2011年02月14日 15:55 发布者:嵌入式公社
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出DirectFETplus功率MOSFET系列,采用了IR的新一代硅技术,可为 12V输入同步降压应用提供最佳效率,这些应用包括新一代服务器、台式电脑和笔记本电脑。 IRF6811和IRF6894是新系列DirectFETplus的首批器件,比上一代器件减少了导通电阻 (RDS (on) ) 和栅极电荷 (Qg) ,使其效率大幅提高2%。此外,这些器件具有超低栅极电阻 (Rg) ,通过把DC-DC转换器的开关损耗降至最低来进一步提高效率。
IRF6811控制MOSFET及IRF6894同步MOSFET分别以小罐及中罐供货。25V DirectFETplus 组件结合了业界领先的导通电阻和栅极电荷以及低电荷,将传导和开关损耗降到最低。IRF6894还设有集成式单片肖特基二极管,可降低由体二极管传导和反向恢复导致的损耗。新型DirectFETplus MOSFET与上一代器件的占位面积兼容。
产品规格
器件编号
BVDSS (V)
10V时的
典型导通电阻(mΩ)
4.5V时的
典型导通电阻(mΩ)
VGS (V)
典型QG
(nC)
典型QGD (nC)
概要代码
IRF6811SPBF
25
2.8
4.1
+/-16
11
4.2
SQ
IRF6894MPBF
25
0.9
1.3
+/-16
29
10
MX