Vishay 推出业内首先采用MicroSMP封装的TMBS整流器系列

1A和2A器件的高度为0.65mm，正向压降低至0.36V。显著节省空间并提高功率密度和效率

Vishay 新增10颗采用eSMP系列MicroSMP(DO-219AD)封装的1A和2A器件，扩充其表面贴装的TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。Vishay General Semiconductor的新整流器节省空间，可替换SOD123W封装的肖特基整流器，反向电压从45V到150V，其中业内首颗采用MicroSMP封装的2A TMBS整流器的正向压降低至0.40V。



目前，2A电流的肖特基整流器一般采用SOD123W和SMA封装。今天发布的这批器件在较小的MicroSMP封装内也可以输出高正向电流，从而提高了功率密度。整流器的尺寸为2.5mm x 1.3mm，高度0.65mm，比SOD123W薄35%，同时占板空间少45%。为实现良好的散热性能，MicroSMP封装采用了不对称的引线框架设计。

1A整流器的正向压降为0.36V，2A器件的正向压降为0.40V，够减少功率损耗，提高效率。针对低压高频逆变器，DC/DC转换器，续流以及极性保护等工业和商业应用。这些器件还有通过AEC-Q101认证的版本，可用于汽车应用。

新整流器的最高工作结温达+175℃，潮湿敏感度等级达到per J-STD-020的1级，LF最高峰值为+260℃。器件非常适合自动贴装，符合RoHS，无卤素。

器件规格表：

      产品编号  IF(AV) (A)  VRRM (V)  IFSM (A)  VF at IF and TJ  最高TJ  (°C)
  VF (V)  IF (A)  TA (°C)
  V1P6  1  60  25  0.45  1  125  150
  V2P6  2  60  30  0.51  2  125  150
  V1PL45  1  45  25  0.36  1  125  150
  V2PL45  2  45  30  0.4  2  125  150
  V1PM10  1  100  25  0.58  1  125  175
  V2PM10  2  100  30  0.62  2  125  175
  V1PM12  1  120  25  0.61  1  125  175
  V2PM12  2  120  30  0.65  2  125  175
  V1PM15  1  150  25  0.64  1  125  175
  V2PM15  2  150  30  0.68  2  125  175

新的TMBS整流器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十二周。