25/30V高性能PQFN功率MOSFET系列（IR）

为工业负载点应用提供高密度解决方案

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。

IR的新款高性能PQFN 3 x 3封装是生产技术改进的成果，以全新紧凑的占位空间提供比标准PQFN 3 x 3器件高出多达60%的负载电流能力，同时极大地减少了整体封装电阻，从而达到极低的导通电阻 (RDS(on)) 。除了低导通电阻，新的高性能PQFN封装加强了热传导率并提高了可靠性，且符合工业标准及MSL1湿度敏感性测试。

这一高性能PQFN封装技术也适用于5 x 6 mm占位面积的器件，与标准PQFN 5 x 6 器件相比，在设计要求更多电流时无需增加额外占位面积。

该系列产品包括用作控制MOSFET的优化器件，具有低栅极导通电阻 (Rg) ，以减少开关损耗。在同步MOSFET应用方面，新器件以FETKY (单片式FET及肖特基二极管) 配置形式提供，从而缩短反向恢复时间，以提高效率和EMI性能。

新器件的高度小于1 mm，与现有表面贴装技术兼容，并拥有行业标准引脚，还符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。

产品规格
    器件编号

      封装
      BVDSS (V)
      最大VGS (V)
      在10V下典型/最大RDSon (mΩ)
      在4.5V下典型/最大RDSon (mΩ)
      在4.5V下典型Qg (nC)
      额外
  芯片
  功能
       IRFHM831

      PQFN  3x3

      30V

      ±20V

      6.6 / 7.8

      10.7 / 12.6

      7.3

      低Rg

       IRFHM830D

      PQFN  3x3

      30V

      ±20V

      3.4 / 4.3

      5.7 / 7.1

      13

      FETky

       IRFHM830

      PQFN  3x3

      30V

      ±20V

      3.0 / 3.8

      4.8 / 6.0

      15

      

       IRFH5303

      PQFN  5x6

      30V

      ±20V

      3.6 / 4.2

      5.7 / 6.8

      15

      低Rg

       IRFH5304

      PQFN  5x6

      30V

      ±20V

      3.8 / 4.5

      5.8 / 6.8

      16

      

       IRFH5306

      PQFN  5x6

      30V

      ±20V

      6.9 / 8.1

      11.0 / 13.3

      7.8

      

       IRFH5255

      PQFN  5x6

      25V

      ±20V

      5.0 / 6.0

      8.8 / 10.9

      7.0

      低Rg

       IRFH5250D

      PQFN  5x6

      25V

      ±20V

      1.0 / 1.4

      1.7 / 2.2

      39

      FETky

  
新系列已接受批量订单。相关数据及MOSFET产品选择工具可通过 IR 网站 www.irf.com供应。