耶鲁大学与SRC公司合作开发下一代DRAM

全球领先的大学半导体研究机构Semiconductor Research Corporation (SRC)和耶鲁大学的研究人员宣布，他们开发出了一种采用铁电层的DRAM单元，可显著提高DRAM技术的市场竞争力。

早期结构表明，研究人员发现了在DRAM单元中施用铁电材料的方法，因此可省去常规DRAM中的存储电容。铁电DRAM（FeDRAM）是一个无电容单元，其单元结构非常类似于CMOS晶体管，只是其门极采用铁电体材料而不是传统的电介质材料。

与常规的DRAM单元相比，FeDRAM的结构更简单，可延展性更强，尺寸更小，保持时间更长，耗电更低，每个单元可能存储多个比特。此前，DRAM不能在一个单元中存储多比特。这是flash存储器所独有的。

参与研究的马教授称，FeDRAM结构有很多优势。FeDRAM 可令器件通过门电压脉冲编程和擦除。由于充电保留比常规的DRAM长至少1000倍，所以不用经常刷新。其电路结构很像flash存储器，这方便于生产制造。由于能够采用现存的生产设施，所以迁移到FeDRAM和容易。