台积电承认40nm制程问题 2010年转向28nm

在早前举办的一次新闻发布会上，台积电CEO兼总裁蔡力行(Rick Tsai)承认目前该公司的40nm制程生产线存在良品率问题，同时他还就09年的形式进行了一番预测。早在去年台积电便宣布了其40nm制程技术的商用化。到今年第一季度，40nm制程部分的产品销量只占到总销量的1%，但这个数值已经比预期值较高。第二季度，台积电预测这个比例将上升到2%左右。

会上当一位分析师问及台积电40nm制程的良品率问题时，蔡力行称：“40nm制程的良品率问题依然是一个难题，要知道40nm制程本身就是一项高精技术，生产40nm元件的难度也相当大。不过我们已经找到问题所在并试图改进。”

尽管蔡力行称已经找到40nm制程良品率不佳的问题所在并试图改进，但他并没有就此作进一步的详细说明。

会上台积电还展示了一款功能化的SRAM芯片，这款芯片将使用28nm制程技术制作，这款产品还采用了high-k，用于与门堆叠结构的金属门等技术。

这种28nm制程技术还可以在门堆叠结构中使用常规的硅氧化物。根据早前的报道，2010年台积电将转向28nm制程技术。

目前市面上采用40nm制程技术的消费级产品只有ATI的RV740系列桌面/笔记本用显卡。