低导通电阻的小型20V P沟道MOSFET（飞兆）
2009年08月20日 11:09 发布者：admin
飞兆半导体推出1mm x 1mm WL-CSP封装20V P沟道MOSFET器件FDZ371PZ，该器件设计采用飞兆半导体的专有PowerTrench 工艺 技术，为手机、医疗、便携和消费应用设计人员带来业界最低RDS(ON) 值(-4.5V下为75mΩ) ，能够最大限度地减小传导损耗。通过降低损耗，FDZ371PZ能够提高便携设计的效率，并延长电池寿命。FDZ371PZ还可提供4.4kV的稳健ESD保护功能，以保护器件免受ESD事件影响。FDZ371PZ器件的WL-CSP封装使用4 x 250µm无铅焊球，具有出色的电气和热阻数值，安装时的封装高度达到0.4mm，达业界领先水平。
FDZ371PZ是飞兆半导体全面的先进MOSFET产品系列的成员，能够满足业界对于紧凑的薄型MOSFET器件的需求，并提供高效率和出色的开关性能。
价格(订购1,000个，每个)： 0.30美元
供货: 现提供样品
交货期：8至12星期
产品的 PDF 格式数据表可从以下网址获取：http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDZ371PZ.pdf
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