Vishay IGBT功率模块在TIG焊机中提高效率并降低传导损耗

这些半桥和单开关管器件采用Trench PT IGBT技术制造，具有低VCE(ON) 和Eoff，可用于大电流逆变级

Vishay Intertechnology, Inc.发布4款专为TIG焊机设计的新型半桥和单开关管IGBT功率模块---VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP250SA60S、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S。这四款器件采用Vishay的独家Trench PT IGBT 技术制造，集电极到发射极的电压极低，只有1.10V，关断开关能量低至11mJ，可用于输出逆变级。



今天发布的Vishay Semiconductors器件采用Trench PT IGBT结构，实现了比平面IGBT更小的尺寸，具有更高的电流密度和更低的热阻（结到外壳），在性能上丝毫没有缩水。器件的集电极到发射极的电压较低，能够实现极低的传导损耗，同时其关断开关能量比前一代器件低50%，可提高效率和长期可靠性。

半桥VS-GP100TS60SFPBF、VS-GP300TD60S和VS-GP400TD60S把Trench PT IGBT与HEXFRED®和FRED Pt®防并联二极管组合在一起，采用高度极低的17mm INT-A-PAK封装和双片INT-A-PAK封装。单开关管VS-GP250SA60S采用SOT-227封装，典型杂散电感非常低，还不到5nH，通过UL file E78996的认证。

这些模块符合RoHS，工作频率为1kHz，集电极到发射极电压为600V，集电极连续电流为100A～400A。器件可以直接安装散热片，EMI小，减少了对吸收电路的要求。

器件规格表：

  产品编号  VS-GP100TS60SFPbF  VS-GP250SA60S  VS-GP300TD60S  VS-GP400TD60S
  IC  100 A  250 A  300 A  400 A
  VCE(ON)  1.16 V  1.10 V  1.30 V  1.30 V
  封装  INT-A-PACK  SOT-227  DIAP, 低高度  DIAP, 低高度
  Eoff  15.3 mJ  11 mJ  33 mJ  45 mJ
  电路  半桥  单开关管  半桥  半桥
  IGBT  Trench PT  Trench PT  Trench PT  Trench PT
  二极管  FRED Pt  无  HEXFRED  HEXFRED

新IGBT功率模块现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周到十周。