北大研制出世界首款10纳米碳纳米管CMOS器件
2015年05月15日 11:19 发布者：eechina
近日，在北京市科委先导与优势材料创新发展专项支持下，北京大学彭练矛教授团队在世界上首次研制出10纳米碳纳米管互补金属氧化物半导体（CMOS）器件。与同尺寸硅基器件相比，该器件速度是其5倍，而功耗仅为1/5。该团队还在世界上首次成功制备出含有100个晶体管的碳纳米管集成电路。下一步，该团队将继续优化碳纳米管CMOS器件制备工艺，建立标准的碳基CMOS器件技术加工平台，并基于该平台开发碳纳米管CPU，最终推动碳基集成电路在下一代通用芯片和消费电子等领域的应用。
--中化新网
网友评论
rightrule 2015年06月01日
目前领先于世界，与大规模商用时领先于业界，没有必然的逻辑性；北大是作基础研究的，产业化，或者与某个领域的领先者，将这项技术成功地应用上去，才是重中之重。
目前领先于世界，与大规模商用时领先于业界，没有必然的逻辑性；北大是作基础研究的，产业化，或者与某个领域的领先者，将这项技术成功地应用上去，才是重中之重。
wuxianghua1988 2015年06月13日
现在的硅基已经在研究10nm制成工艺了，不知道这个啥时候能出来啊！！！
现在的硅基已经在研究10nm制成工艺了，不知道这个啥时候能出来啊！！！
这才是地地道道的好消息