Vishay发布11颗采用Gen II超级结技术的新款500V高压MOSFET

其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度

Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。这些Vishay Siliconix MOSFET具有与E系列600V和650V器件相同的优点极低导通损耗和开关损耗等，可帮助客户达到更高的性能/效率标准，例如某些高性能消费类产品、照明应用，以及ATX/银盒PC开关电源所要求的严格的80 PLUS转换效率标准。



今天推出的这些500V MOSFET采用第二代超级结技术制造，为基于标准平面技术的Vishay现有的500V D系列提供了高效率的补充产品。器件的电流从12A到20A，具有190mΩ～380mΩ的低导通电阻和22nC～45nC的超低栅极电荷，这种组合为功率转换应用提供了十分有利的优值系数(FOM)。

器件的低导通电阻还有助于提高功率密度，同时其更快的开关速度可提高如功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激式转换器等典型硬开关拓扑的效率。

器件符合RoHS，可承受雪崩和换流模式里的高能脉冲，并且保证限值通过100%的UIS测试。

器件规格表：

  器件  ID (A) @   RDS(on) (mΩ) @ 10 V  QG (nC) @ 10 V  封装
  25 °C  (最大)  (典型)
  SiHD12N50E  12  380  22  TO-252
  SiHP12N50E  12  380  22  TO-220
  SiHB12N50E  12  380  22  TO-263
  SiHA12N50E  12  380  22  薄引线TO-220 FULLPAK
  SiHP15N50E  15  280  30  TO-220
  SiHB15N60E  15  280  30  TO-263
  SiHA15N50E  15  280  30  薄引线TO-220 FULLPAK
  SiHG20N50E  20  190  45  TO-247AC
  SiHP20N50E  20  190  45  TO-220
  SiHB20N50E  20  190  45  TO-263
  SiHA20N50E  20  190  45  薄引线 TO-220  FULLPAK

新的500V功率MOSFET现可提供样品，并已实现量产，供货周期为十六周到十七周。