便携式设备专用的低功耗、CMOS工艺的双倍速率同步动态随机存取存储器

2015年01月12日 13:29    发布者:eechina
联合存储器公司(Alliance)推出一整条新的产品类别:高速移动CMOS工艺的双倍速率同步动态随机存取存储器(DDR SDRAM),专为需要增加效率和扩展电池寿命的简洁性便携式设备而设计,这些新的移动动态存储器仅需1.7V到1.95V低功耗供电,存储容量有256M位、512M位、1G位、2G位。其封装有8mm X 9mm的60脚的球形封装和8mm X 13mm的90脚的微间距球栅阵列封装。

为了帮助设计者在更少的空间中挤压出更多的功能,这款双倍速率同步动态随机存取存储器已经有自动温度补偿,自刷新特性,在更低的环境温度下能满足最小化功率消耗。局部自刷新功能通过仅刷新关键数据,可降低功耗,当数据不需要保持时,深度电压降模式提供了一个超低功耗状态。这些性能使得该产品在极端环境下也能表现最优的功能。该系列产品工作温度为 -30°C到 +85°C,用于工业领域的产品温度范围为-30°C到 +85°C。

型号
封装
容量
速率
架构
AS4C16M16MD160-ball FPBGA256M166MHz16Mx16
AS4C16M32MD1
90-ball FPBGA512M200MHz16Mx32AS4C32M16MD160-ball FPBGA512M200MHz32Mx16AS4C32M32MD190-ball FPBGA1Gb200MHz32Mx32AS4C64M16MD160-ball FPBGA1Gb166MHz64Mx16AS4C64M32MD190-ball FPBGA2Gb200MHz64Mx32