IR推出采用PQFN封装和铜夹技术的中压功率MOSFET产品

国际整流器公司 (International Rectifier，简称 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 产品组合，提供完整的中压器件系列，它们采用了5x6 mm PQFN封装及优化铜夹和焊接芯片技术。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技术來实现基准性能，适用于网络和电信设备的DC-DC转换器、AC-DC开关电源（SMPS）及电机驱动开关等开关应用。由于新器件满足40V到250V的宽泛电压，所以可提供不同水平的导通电阻（RDS(on)）和栅极电荷（Qg），为客户的特定应用提供优化的性能和更低成本。

所有器件都具有低热阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 标准，所采用的环保材料既不含铅、溴或卤，也符合有害物质管制指令 (RoHS) 。

产品基本规格

    器件编号      封装      电压      电流      导通电阻      栅极电荷类型      栅极       IRFH5004TRPBF      PQFN 5x6mm      40 V      100A      2.6 mOhm      73 nC      标准       IRFH5006TRPBF      PQFN 5x6mm      60 V      100A      4.1 mOhm      67 nC      标准       IRFH5106TRPBF      PQFN 5x6mm      60 V      100A      5.6 mOhm      50nC      标准       IRFH5206TRPBF      PQFN 5x6mm      60 V      98A      6.7 mOhm      40 nC      标准       IRFH5406TRPBF      PQFN 5x6mm      60 V      40A      14.4 mOhm      23 nC      标准       IRFH5007TRPBF      PQFN 5x6mm      75 V      100A      5.9 mOhm      65 nC      标准       IRFH5207TRPBF      PQFN 5x6mm      75 V      71A      9.6 mOhm      39 nC      标准       IRFH5010TRPBF      PQFN 5x6mm      100 V      100A      9.0 mOhm      65 nC      标准       IRFH5110TRPBF      PQFN 5x6mm      100 V      63A      12.4 mOhm      48 nC      标准       IRFH5210TRPBF      PQFN 5x6mm      100 V      55A      14.9 mOhm      39 nC      标准       IRFH5015TRPBF      PQFN 5x6mm      150 V      56A      31 mOhm      33 nC      标准       IRFH5020TRPBF      PQFN 5x6mm      200 V      41A      59 mOhm      36 nC      标准       IRLH5034TRPBF      PQFN 5x6mm      40 V      100A      最大2.4 mOhm       43 nC      逻辑电平       IRLH5036TRPBF      PQFN 5x6mm      60 V      100A      最大4.4 mOhm       44 nC      逻辑电平       IRLH5030TRPBF      PQFN 5x6mm      100 V      100A      最大9.0 mOhm       44 nC      逻辑电平  

新器件现已接受订单，数据表和应用说明已刊登于 IR 的网站 http://www.irf.com。