IR扩充60V StrongIRFET MOSFET系列

以标准和高性能功率封装为工业应用提供极低导通电阻

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 扩充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多种标准和高性能功率封装。全新MOSFET适用于要求极低导通电阻 (RDS(on)) 的工业应用，包括电动工具、轻型电动车 (LEV) 逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护和开关模式电源 (SMPS) 二次侧同步整流应用等。



经过扩充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封装和表面贴装封装，其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封装，可提供大电流密度，有效缩减整体系统尺寸并降低成本，适用于空间受限的大功率工业设计。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件，均配有可提升低频率应用性能的极低导通电阻、极高的载流能力、软体二极管和有助于提高噪声免疫力的3V典型阀值电压。该系列的每款器件都完全通过业界最高雪崩电流级别的雪崩测试，能够为要求严格的工业应用提供最坚固耐用的解决方案。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR广泛的60V StrongIRFET MOSFET产品系列具有适合工业市场的低导通电阻和大电流能力，并提供多种封装选择，使设计师能够基于性价比标准灵活选择最适合其应用的器件。”

与DirectFET系列的其它器件一样，全新IRF7580M中罐式封装器件提供能改善可靠性的无键合线设计。DirectFET封装符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含铅的物料清单，因此非常适合长生命周期的设计。而其它同类高性能封装则采用含铅的裸片贴装，虽然符合电子产品有害物质管制规定第7(a) 项豁免条款，但这项豁免将于2016年到期。

规格        

采用表面贴装封装的60V StrongIRFET

  器件编号  BVDSS  25ºC时的ID  VGS为10V时的最大导通电阻  VGS为10V时的Qg  封装
  IRF7580M  60V  116A  3.6  120  中罐式 (ME)  DirectFET
  IRFS7530-7P  240A  1.4  256  D2-PAK-7
  IRFS7534-7P  240A  1.9  200  D2-PAK-7
  IRFS7530  195A  2  274  D2-PAK
  IRFS7534  195A  2.4  180  D2-PAK
  IRFH7085  100A  3.2  110  PQFN 5x6 (B)
  IRFR7540  110A  4.8  85  D-PAK
  IRFS7537  195A  3.3  142  D2-PAK
  IRFS7540  110A  5.1  88  D2-PAK
  IRFH7545  85A  5.2  73  PQFN 5x6 (E)
  IRFR7546  71A  7.9  58  D-PAK

采用穿孔式封装的60V StrongIRFET

  器件编号  BVDSS  25ºC时的ID  VGS为10V时的最大导通电阻  VGS为10V时的Qg  封装
  IRFB7530  60V  195A  2  274  TO-220
  IRFP7530  2  274  TO-247
  IRFB7534  2.4  186  TO220
  IRFB7537  3.3  142  TO-220
  IRFP7537  3.3  142  TO-247
  IRFB7540  110A  5.1  88  TO-220
  IRFB7545  85A  5.9  75
  IRFB7546  58A  7.3  58

产品现正接受批量订单。相关数据和SPICE模型，请浏览IR的网站http://www.irf.com。