Vishay P沟道Gen III MOSFET具有业内最低导通电阻

12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位体积

Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便携式计算和工业控制设备中的电源效率，是-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低导通电阻的-12V和-20V器件，占位面积为3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。



Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、工业传感器和POL模块里的电源管理等各种应用中的负载、电池和监控开关。器件的低导通电阻使设计者能够在其电路里实现更低的电压降，更高效地使用电能，延长电池使用寿命。

在节省PCB空间是首要因素的应用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低导通电阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封装具有明显优势。当需要更高的电压等级时，-20 V Si5415AEDU可满足需求，具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低导通电阻。两款器件的典型ESD保护为5000V。对于需要极低导通电阻的应用，SiSS23DN的4.5mΩ(-4.5V)和6.3mΩ(-2.5V)导通电阻可满足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封装的高度低至0.75mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN进行了100%的Rg和UIS测试。这些MOSFET符合JEDEC JS709A的无卤素规定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件规格表：

  器件型号  Si5411EDU  Si5415AEDU  SiSS23DN
  VDS (V)  -12  -20  -20
  VGS (V)  ± 8  ± 8  ± 8
  RDS(ON) (mΩ) @  4.5 V  8.2  9.6  4.5
  3.7 V  9.4  -  -
  2.5 V  11.7  13.2  6.3
  1.8 V  20.6  22  11.5
  封装  PowerPAK ChipFET  PowerPAK ChipFET  PowerPAK 1212-8S

Vishay的P沟道Gen III系列包括60余款器件，占位面积从5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有关MOSFET的更多信息，请访问http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新款P沟道MOSFET现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十三周。