恩智浦推出首款采用1.1-mm²无铅塑料封装的3 A晶体管

高Ptot MOSFET和双极性晶体管具有很低的RDson和VCesat基准值，适用于空间受限应用中的电源管理和负载开关

恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)推出首款采用1.1-mm x 1-mm x 0.37-mm超薄DFN（分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成，其中包括低RDson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能，非常适用于空间受限的便携式应用中的电源管理和负载开关，这是因为外形大小、功率密度和效率在这些应用中都是极为关键的因素。



恩智浦半导体公司晶体管产品经理Joachim Stange表示：“在如此小的塑料封装内达到如此高的漏极和集极电流值是前所未有的。通过这一里程碑式的突破，恩智浦会继续挑战MOSFET和双极性晶体管在超紧凑封装和性能方面的极限。”

全新产品系列采用两种封装：单晶DFN1010D-3 (SOT1215)封装，功耗最高达到1 W，具有可焊镀锡侧焊盘的特性。这些侧焊盘提供光学焊接检测的优势，与传统无铅封装相比，焊接连接质量更好，因此能满足严格的汽车要求。双晶封装DFN1010B-6 (SOT1216)，占用空间仅为1.1-mm²，是双晶体管可采用的最小封装。

采用DFN1010封装的产品可以替代许多WL-CSP器件。另外，该封装也可以取代体积更大的DFN封装和标准含铅SMD封装（例如达到其八倍体积的SOT23），同时提供同等甚至更为出色的性能。

全新产品组合的主要特点：
•    1.1 x 1 x 0.37 mm超小扁平封装
•    功耗(Ptot) 最高达到1 W
•    采用可焊镀锡侧焊盘，贴装性能更好，符合汽车应用要求
•    单通道和双通道MOSFET（N沟道/P沟道）
•    RDSon值低至34mOhm
•    ID最高达到3.2 A
•    电压范围为12 V至80 V
•    1 kV ESD保护
•    低VCEsat (BISS)单晶体管
•    VCEsat 值低至70 mV
•    集极电流(IC)最高达到2 A，峰值集极电流(ICM)最高达到3 A
•    VCEO范围为30 V至60 V
•    符合AEC-Q101标准
•    双通道NPN/PNP配电阻（数字）晶体管（100 mA，R1=R2=47 kOhm /符合AEC-Q101标准）
•    通用单晶体管和双晶体管

上市时间
采用DFN1010封装的全新晶体管现已量产，即将上市。

链接

[*]恩智浦的低RDSon MOSFET：www.nxp.com/group/12065
[*]恩智浦的低VCEsat晶体管：www.nxp.com/group/10921
[*]有关采用DFN1010B-6封装的通用晶体管的产品信息：www.nxp.com/pip/BC847QAPN
[*]有关DFN1010B-6封装的RET（数字晶体管）的产品信息：www.nxp.com/pip/PQMD12
[*]MOSFET DFN封装选择器： www.nxp.com/ultra-small-mosfets/packages
[*]有关DFN1010D-3 (SOT1215)的封装信息：www.nxp.com/packages/SOT1215.html
[*]有关DFN1010B-6 (SOT1216)的封装信息：www.nxp.com/packages/SOT1216.html