安森美推出针对便携电子射频的IPD2工艺技术

安森美半导体推出新的集成无源元件(IPD)工艺技术——IPD2。这新工艺是公司增强既有的HighQ硅铜(copper on silicon) IPD技术，第二层的铜层厚度仅为5微米(μm)，增强了电感性能，提高了灵活性，配合设计高精度、高性价比的集成无源元件，用于便携电子设备中的射频(RF)系统级封装应用。

HighQ IPD2工艺是安森美半导体定制代工部众多创新制造服务之一，采用先进的8英寸晶圆技术，典型设计包括平衡/不平衡转换器(balun)、低通滤波器、带通滤波器和双工器，用于最新便携和无线应用。基于IPD2的设计为电路设计人员提供重要优势，如降低成本、减小厚度、小占位面积，以及更高性能(等同于延长电池使用时间)。

安森美半导体为其IPD2工艺技术提供全功能设计工具和设计支援，以及快速的原型制造能力，帮助潜在用户快速和高性价比地评估，不管他们复杂度较低的分立或集成印制电路板(PCB)方案、较厚也较昂贵的陶瓷方案，还是基于更昂贵的砷化镓金(Gold on Gallium Arsenide)的IPD是否适合转换至IPD2工艺。