IR全新1200V IGBT为电机驱动及不间断电源应用，提升功率密度和效率

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固可靠的全新1200V超高速绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列，针对工业电机驱动及不间断电源 (UPS) 应用进行了优化。



全新器件采用IR的场截止沟道超薄晶圆技术，可减少传导和开关损耗。该器件具有10us最小短路时间额定值，与具有低反向恢复电荷 (Qrr) 的软恢复二极管共同封装，为坚固的工业应用做出了有效优化。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“全新1200V沟道IGBT具有极低的Vce(on) 和低开关损耗，并带来更高的系统效率及稳固的瞬态效能，从而提高可靠性，使其非常适合恶劣的工业环境。”

这些经过封装的器件适用于从10A到50A的宽泛的电流范围。其他主要性能优势包括高达150°C 的Tjmax、有助于并联的正VCE(on) 温度系数，以及能够降低功耗和提升功率密度的低VCE(on)。新器件还可提供裸片形式。

规格

采用封装形式

    器件编号    封装  VCES  IC (标称)  Vceon  Tsc (最小)
  IRG7PH30K10D  TO-247AC   1200  V  10 A  2.0  V  10us
  IRG7PH30K10D-E  TO247AD 长引线  1200  V  10 A  2.0  V  10us
  IRG7PH37K10D  TO-247AC   1200  V  15 A  1.9  V  10us
  IRG7PH37K10D-E  TO247AD长引线  1200  V  15 A  1.9  V  10us
  IRG7PH44K10D  TO-247AC   1200  V  25 A  1.9  V  10us
  IRG7PH44K10D-E  TO247AD长引线  1200  V  25 A  1.9  V  10us
  IRG7PH50K10D  TO-247AC   1200  V  40 A  1.9  V  10us
  IRG7PH50KD-E  TO247AD长引线  1200  V  40 A  1.9  V  10us
  IRG7PSH54K10D  Super TO-247  1200  V  50 A  1.9  V  10us


采用裸片形式

    器件编号    VCES  IC (标称)  Vceon  Tsc (最小)
  IRG7CH30K10B  1200 V  9 A  2.0  V  10us
  IRG7CH37K10B  1200 V  15 A  1.9  V  10us
  IRG7CH44K10B  1200 V  25 A  1.9  V  10us
  IRG7CH50K10B  1200 V  35 A  1.9  V  10us
  IRG7CH54K10B0-R  1200 V  50 A  1.9  V  10us
  IRG7CH73K10B-R  1200 V  75 A  1.9  V  10us
  IRG7CH75K10B-R  1200 V  100 A  1.9  V  10us
  IRG7CH81K10B-R  1200 V  150 A  1.9  V  10us


相关产品现正接受批量订单。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。如需数据资料及IGBT产品选型工具，请浏览 IR的网站 www.irf.com。通过 http://mypower.irf.com/IGBT/ 可直接获取产品选型工具。