Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族

新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度

Vishay E系列器件新增650V功率MOSFET。这些22款新器件采用8种不同封装，将10V下的导通电阻扩展到30mΩ～600mΩ，将最高电流等级扩大为6A～105A。650V E系列MOSFET基于下一代Vishay Siliconix超级结技术，针对可再生能源、工业、照明、电信、消费和计算市场中对输入电压安全裕量有额外要求的应用，Vishay Siliconix拓展了器件的峰值性能指标。



今天推出的器件使E系列的器件总数达到26个。所有E系列器件都具有超低的导通电阻和栅极电荷，可实现极低的传导和开关损耗，可在功率因数校正、服务器和通信电源系统、焊接、不间断电源(UPS)、电池充电器、LED照明、半导体制造设备、适配器和太阳能逆变器等高功率、高性能开关电源中节省能源。

器件针对雪崩和通信模式中承受高能脉冲而设计，通过100%的UIS测试确保极限性能。MOSFET符合RoHS。

器件规格表：
    编号    V(BR)DSS  (V)  ID  @ 25C(A)  RDS(ON)  max.
  @ Vgs = 10 V (mΩ)  Qg typ
  @ Vgs = 10V (nC)  封装  样品
  SiHP6N65E  650  6  600  21  TO220  已发布
  SiHF6N65E  650  6  600  21  TO220F  已发布
  SiHB6N65E  650  6  600  21  TO263  (D2PAK)  已发布
  SiHD6N65E  650  6  600  21  TO252 (DPAK)  已发布
  SiHU6N65E  650  6  600  21  TO251 (IPAK)  已发布
  SiHP12N65E  650  12  380  33  TO220  可供货
  SiHB12N65E  650  12  380  33  TO263  (D2PAK)  可供货
  SiHF12N65E  650  12  380  33  TO220F  可供货
  SiHP15N65E  650  15  280  44  TO220  已发布
  SiHB15N65E  650  15  280  44  TO263  (D2PAK)  已发布
  SiHF15N65E  650  15  280  44  TO220F  已发布
  SiHP22N65E  650  22  180  65  TO220  已发布
  SiHF22N65E  650  22  180  65  TO220F  已发布
  SiHB22N65E  650  22  180  65  TO263  (D2PAK)  已发布
  SiHG22N65E  650  22  180  65  TO247AC  已发布
  SiHP24N65E  650  24  150  83  TO220  已发布
  SiHB24N65E  650  24  150  83  TO263  (D2PAK)  已发布
  SiHG24N65E  650  24  150  83  TO247AC  已发布
  SiHP28N65E  650  28  125  99  TO220  五月
  SiHG28N65E  650  28  125  99  TO247AC  五月
  SiHW28N65E  650  28  125  99  TO247AD  五月
  SiHG47N65E  650  47  70  178  TO247AC  可供货
  SiHW47N65E  650  47  70  178  TO247AD  可供货
  SiHG64N65E  650  65  51  244  TO247AC  五月
  SiHW64N65E  650  65  51  244  TO247AD  五月
  SiHS105N65E  650  105  30  405  Super TO247  五月


新款功率MOSFET现可提供样品，量产供货周期为十六周到十七周。