台积电:加速改变摩尔定律,将推10nm制程

2013年04月16日 11:24    发布者:eechina
不久前ARM才宣布与台积电完成首款以16nmFinFET制程技术优化64位元ARMv8处理器系列产品的消息,并且最快在今年内就成正式量产,目前台积电方面也透露将在2015年左右完成以EUV(波长较短的紫外线)为基础原理的10nm制成技术,估计将以此加速超越过去摩尔定律所提出硬件进步速率。

根据EETimes网站报导,在目前与三星等厂商竞争下,台积电除了稍早与ARM宣布将完成以16nmFinFET制程技术优化64位元ARMv8处理器系列产品,并且将在2013年底前开始量产的消息外,目前也透露将在2015年间左右跨入10nm制程技术,同时也说明将强化既有3D芯片堆叠制作技术,并且扩大现有28nm制程产量产能。

台积电创办人暨执行长张忠谋于近期访谈时表示,估计在7-8年间将会加速从10nm制程跨入小至7nm制程技术的速度,藉此将再让摩尔定律重新被定义。

另一方面,先前根据Intel所透露旗下产品制程发展蓝图,其中也透露将在2015年之后跨入10nm、7nm或5nm制程里程,在2013年间的产品制程将以14nm为主。

来源:经济日报