东芝推出600V系统超级结MOSFET DTMOSIV高速二极管系列

RON较现有产品降低了30%，反向恢复时间为现有产品的三分之一

东芝公司(Toshiba)推出了基于第四代600V系统超级结(super junction)MOSFET“DTMOSIV”系列的高速二极管。新系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(RON•A)较现有产品降低了约30%(注1)，处于业界领先水平。(注2)另外，高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一(注3)，降低了损耗并有助于提高功效。

(注1) 与此前的“DTMOSIII”系列比较。东芝数据。
(注2) 截至2013年4月2日。东芝数据。
(注3) 与现有的“TK16A60W”产品比较。截至2013年4月3日。东芝数据。

应用
开关电源，微逆变器，适配器和光伏逆变器

主要特性
1. RON•A较现有产品（DTMOSIII系列）降低了30%。
2. 高速寄生二极管的反向恢复时间约为现有产品的三分之一。
3. 采用单外延工艺打造，确保高温时的导通电阻和反向恢复时间只会小幅增加。
4. 宽广的导通电阻范围（0.65-0.074Ω）
5. 多种封装

主要规格

  产品型号          绝对最大额定值         RDS(ON)  最大值 (Ω)          Qg 标准值 (nC)          Ciss 标准值 (pF)          trr 标准值 (ns)          封装   
                              
       VDSS  (V)           ID  (A)          VGS=10V                        
  TK16A60W5          600          15.8          0.23          43          1350          100          TO-220SIS   
  TK31J60W5          600          30.8          0.099          105          3000          135          TO-3P(N)   
  TK39J60W5           600           38.8           0.074           135           4100           150           TO-3P(N)   

通过下方链接了解该产品详情：http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/transistor/selection/topics/1267582_2470.html

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