IR 推出第八代 1200V IGBT技术平台 提供适合工业应用的基准效率和耐用性

国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出新一代绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 技术平台。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技术平台采用IR的新一代沟道栅极场截止技术，为工业及节能应用提供卓越性能。

全新的Gen8设计可让高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度，并可提供超卓的耐用性。IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“通过开发全新基准技术及顶尖的IGBT硅平台，彰显出IR在数十年来致力提升功率电子技术的承诺。我们期望为所有电动马达提供百分之百变频，以期更有效地使用电能及绿化环境。”

新技术针对电机驱动应用提供更好的软关断功能，有助于把dv/dt降到最低，从而减少电磁干扰、抑制过压，从而提升可靠性与耐用性。这个平台的参数分布较窄，在高电流功率模块内并联起多个IGBT之时，可提供出色的电流分配。薄晶圆技术则改善了热电阻和达到175°C的最高结温。

潘大伟补充道：“IR的Gen8 IGBT平台旨在为工业应用提供卓越技术。该IGBT平台凭借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的开关功能，使工业市场中的艰巨难题迎刃而解。”

欲了解更多信息，请浏览IR网站 www.irf.com。

产品规格
      IR 器件编号    VCES  IC (NOM)  VCE(ON) (典型)  封装
    IRG8CH15K10F  1200V  10A  1.7  膜上裸片
    IRG8CH20K10F    15A
    IRG8CH29K10F  25A
    IRG8CH38K10F    35A
    IRG8CH42K10F    40A
    IRG8CH50K10F    50A
    IRG8CH76K10F    75A
    IRG8CH97K10F    100A
    IRG8CH137K10F    150A
    IRG8CH182K10F    200A