X-FAB发表首创的200V SOI工艺 XT018在单一芯片上提供多重的高压区块

X-FAB Silicon Foundries今日发表XT018，这是世界首创的180纳米200V MOS的独立沟槽电介质(SOI)的工艺。这种完全隔离型的模块化工艺让不同电压的区块能够整合在单一芯片上，大幅减少了印刷电路板的组件数量，也避免栓锁效应(latch-up)更提供对抗电磁干扰的卓越性。

XT018 SOI技术是市面上唯一的180nm工艺，适用于100V到200V电压范围的应用。XT018适合需要双向隔离的消费性、医疗、通信和工业应用，例如PoE、超音波传送器、压力作动器与电容驱动的微机械系统。

这项新技术以1.8V/5.0V的I/O与多达6层金属的180nm工艺，结合了完全隔离的MOS组件来实现高压汲极(high-voltage drain)。独特的架构运用超接面(super-junction)结构与专利型的高压端隔离MOS组件，实现精巧的Ron设计，100V NMOS组件为0.3 欧姆mm² 、200V NMOS组件为1.1欧姆mm²。在low side与high side的操作中，HV MOS组件均拥有相同的特性参数。

XT018的工艺模块中有5V-only的模块适用于模拟的应用，还有HVnmos与HVpmos模块可分别选择。这项技术完全适用于-40°C到175°C的温度范围。

除了HV晶体管之外，XT018提供一层厚的金属层以支援大电流绕线、隔离型的10V MOS、基本的junction diodes与bipolar、中高阻值的poly电阻、高面积效益的MIM电容(2.2至6.6 fF/µm²)，以及高压电容。超接面技术(super-junction)让rectifying diodes拥有20ns的逆向复原时间(reverse recovery time)，也让整流器(rectifiers)与bootstrap电路能够有效地被整合到芯片上。

X-FAB高压产品线营销经理Sebastian Schmidt表示：“我们的XT018技术提供卓越的电介质高压隔离。这种隔离让设计工作更容易地达到较短的创新过程，简单明确而且可以加快前期导入市场的时间。”

XT018 设计套件已经完备，设计人员可立即着手设计。X-FAB将在今年稍后举办一场全新XT018工艺的网络研讨会。